BOOK
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
2-е издание, исправленное.
Стоимость в разных магазинах:
Лабиринт
Стоимость: 891 ₽*
* на сайте партнёра. На нашем - не является публичной офертой?
Прочее:
ISBNS: 978-5-94836-289-2
Издатель: Техносфера
Publish date: 2011-01-01
Серия: Мир электроники
Жанры: Электротехника. Электроника
Empty